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更重要的是，制氢研究者通过模拟突触的三脉冲STDP并将其延伸至BCM学习规则，弥补了传统忆阻体系中增强抑制效应的缺失，再现了完整的BCM学习曲线。本城e)器件电导驰豫过程图。

川水电市图二基于Pt/WO3-x/W忆阻器模拟突触频率依赖的自适应功能。【全文总结】本文基于界面型氧化物忆阻器实现了三脉冲STDP功能，制氢并将其推广至BCM学习规则，成功弥补了传统忆阻体系所缺失的增强抑制效应。本城【图文导读】图一基于Pt/WO3-x/W二阶忆阻器的人工神经突触。

川水电市d)器件电导随突触后脉冲序列的变化。制氢b)器件模拟突触PPF现象。

忆阻器作为一种新型离子—电子耦合器件，本城因其结构、本城功能与生物突触高度相似，且兼具信息存储与处理功能，是构建存算一体化神经形态计算系统的理想方案。

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